ذكاء اصطناعي للكشف عن حسابات الأطفال في Instagram    الفيحاء يتعادل مع العروبة في دوري روشن    القبض على إثيوبي في عسير لتهريبه (28) كجم "حشيش"    أطعمة للتخسيس بلا أنظمة صارمة    هيئة الأدب والنشر والترجمة تدشن جناح المملكة في معرض مسقط الدولي للكتاب 2025    هيئة تطوير محمية الملك عبدالعزيز الملكية توقع مذكرة تفاهم    الهند تطرد مواطني باكستان من أراضيها وتغلق المعابر الحدودية معها    بوتين: على روسيا استغلال الحرب التجارية لتعزيز الاقتصاد    "سعود الطبية" تسجّل قصة إنقاذ استثنائية لمريض توقف قلبه 30 دقيقة    ريال مدريد يفتقد جهود كامافينجا حتى نهاية الموسم    أمانة الشرقية توقع مذكرة تفاهم مع جمعية ترابط لخدمة المرضى والمجتمع    "الربيعة" يُدشّن محطة توليد أكسجين في مستشفى الطاهر صفر بتونس    وزير الثقافة يلتقي نظيره الكوستاريكي في جدة    الصندوق الثقافي يشارك في مهرجان بكين السينمائي الدولي    هالة الشمس تتوهج في سماء عسير وترسم منظرًا بديعًا    تنمية جازان تشارك في مهرجان الحريد ال21 بجزيرة فرسان    السياحة تشدّد على منع الحجز والتسكين في مكة المكرمة لحاملي جميع التأشيرات باستثناء تأشيرة الحج ابتداءً من 1 ذي القعدة    رحلة "بنج" تمتد من الرياض وصولاً إلى الشرقية    بناءً على توجيهات ولي العهد..دعم توسعات جامعة الفيصل المستقبلية لتكون ضمن المشاريع الوطنية في الرياض    مستوطنون يقتحمون المسجد الأقصى مجددًا    الطيران المدني تُصدر تصنيف مقدِّمي خدمات النقل الجوي والمطارات لشهر مارس الماضي    المملكة والبيئة.. من الوعي إلى الإنجاز في خدمة كوكب الأرض    صدور موافقة خادم الحرمين على منح ميدالية الاستحقاق من الدرجة الثانية ل 102 مواطنٍ ومقيمٍ لتبرعهم بالدم 50 مرة    رالي جميل 2025 ينطلق رسمياً من الأردن    1024 فعالية في مهرجان الشارقة القرائي    ختام مسابقة القرآن الوزارية بالمسجد الحرام    الشرع: لا تهديد من أراضينا وواشنطن مطالبة برفع العقوبات    خارطة طموحة للاستدامة.."أرامكو": صفقات محلية وعالمية في صناعة وتسويق الطاقة    الرجيب يحتفل بزواج «إبراهيم وعبدالعزيز»    المالكي يحصد الماجستير    تكريم متقاعدي المختبر في جدة    الجدعان مؤكداً خلال "الطاولة المستديرة" بواشنطن: المملكة بيئة محفزة للمستثمرين وشراكة القطاع الخاص    ملك الأردن يصل جدة    أكدا على أهمية العمل البرلماني المشترك .. رئيس «الشورى»ونائبه يبحثان تعزيز العلاقات مع قطر وألمانيا    جامعة الفيصل تحتفي بتخريج طلاب "الدراسات العليا"    ناقش مع الدوسري تعزيز الخطاب الإعلامي المسؤول .. أمير المدينة: مهتمون بتبني مشاريع إعلامية تنموية تبرز تطور المنطقة    فصول مبكرة من الثقافة والترفيه.. قصة راديو وتلفزيون أرامكو    أعادت الإثارة إلى منافسات الجولف العالمي: أرامكو.. شراكة إستراتيجية مع فريق آستون مارتن للسباقات    منصة توفّر خدمات الإبلاغ عن الأوقاف المجهولة والنظار المخالفين    النصر يستضيف بطولة المربع الذهبي لكرة السلة للرجال والسيدات    تصفيات كرة الطاولة لغرب آسيا في ضيافة السعودية    لبنان.. الانتخابات البلدية في الجنوب والنبطية 24 مايو    الجائزة تحمل رسالة عظيمة    حماية العلامات التجارية في السعودية    من يلو إلى روشن.. نيوم يكتب التاريخ    وادي حنيفة.. تنمية مستدامة    تَذكُّرُ النِّعم    لا مواقع لأئمة الحرمين والخطباء في التواصل الاجتماعي    إطلاق 33 كائنًا فطريًا في محمية الملك خالد    جائزة محمد بن صالح بن سلطان تنظم ملتقى خدمات ذوي الإعاقة    منجزاتنا ضد النسيان    التصلب الحدبي.. فهم واحتواء    نحو فتاة واعية بدينها، معتزة بوطنها: لقاء تربوي وطني لفرع الإفتاء بجازان في مؤسسة رعاية الفتيات        أمير المنطقة الشرقية يرعى حفل تخريج الدفعة ال55 من طلاب وطالبات جامعة الملك فهد للبترول والمعادن    بعد أن يرحل الحريد.. ماذا تبقى من المهرجان؟ وماذا ينتظر فرسان؟    بخبرة وكفاءة.. أطباء دله نمار ينقذون حياة سيدة خمسينية بعد توقف مفاجئ للقلب    الأمير محمد بن ناصر يرعى انطلاق ملتقى "المواطَنة الواعية" بتعليم جازان    







شكرا على الإبلاغ!
سيتم حجب هذه الصورة تلقائيا عندما يتم الإبلاغ عنها من طرف عدة أشخاص.



تقنيات ترانزيستور تحقق نقلة نوعية في معالجة مشاكل الطاقة والحرارة
نشر في اليوم يوم 09 - 11 - 2003

تمكن باحثو إنتل من اكتشاف مواد جديدة لتحل محل تلك المستخدمة لتصنيع الرقاقات منذ أكثر من 30 عاماً. ويعتبر هذا الابتكار الذي يشكل اختراقاً مهماً في عالم تصنيع الرقاقات، بمثابة إنجاز رائد مع سعي هذه الصناعة المستمر لتقليص معدل تسريب التيار الكهربائي في الترانزيستورات. وجدير بالذكر أن هذه المشكلة تزداد أهمية بالنسبة لمصنعي الرقاقات خاصة في ضوء الاتجاه المتزايد لتركيب أعداد أكبر من الترانزيستورات على قطع دقيقة من السليكون.
وقد طور باحثو إنتل ترانزيستورات ذات أداء عال قياسي مستخدمين في ذلك مادة جديدة تسمى (gate dielectric) شd high-k ومواد معدنية جديدة لبوابة الترانزيستور. والترانزيستورات هي المفاتيح الدّقيقة المبنية على السليكون والتي تعالج ارقام الواحد والصفر في العالم الرقمي. والبوابة تشغل الترانزيستور وتوقفه أما ال (gate dielectric).
فهو عازل رقيق يوضع تحت الترانزيستور. وسوياً، تساعد المواد الجديدة على تقليص تسريب التيار الكهربائي الذي يؤدي إلى انخفاض طاقة البطارية ويُولَد حرارة غير مرغوب فيها. وقد صرحت إنتل أن مادة high-k الجديدة تخفض معدل التسريب بأكثر من 100 مرة مقارنة بمادة ثاني أكسيد السليكون المستخدمة طوال العقود الثلاثة الماضية. وصناعة أشباه الموصلات تبحث منذ سنوات على مواد ترانزيستور جديدة للبوابة، لكن الصعوبات التكنولوجية حالت دون حصول تطبيقات عملية. وعلق سونلين تشو، كبير نواب الرئيس والمدير العام في مجموعة التكنولوجيا والتصنيع في إنتل قائلا: "ان هذا هو العرض المقنع الأوّل الذي يبرهن أن موادّ البوّابة الجديدة ستمكّن التّرانزيستورات من أن تعمل بشكل أفضل، وان تتغلب على الحدود الجوهرية لمادة السليكون ثاني الأكسيد التي تخدم الصناعة منذ أكثر من ثلاثة عقود.
سوف تستخدم إنتل هذا التّقدّم النوعي مع الابتكارات الأخرى، مثل السليكون المضغوط والترانزيستورات الثلاثية البوابات tri-gate، لتمديد تدريج الترانزيستور وقانون مور".
ووفقاً لقانون "مور"، يتضاعف عدد الترانزيستورات على الرقاقة بحوالي مرتين كل عامين ما ينتج عنه المزيد من المزايا وأداء أعلى وتكلفة أقل لكل وحدة ترانزيستور. وللمحافظة على وتيرة الابتكار هذه، يجب أن يستمر حجم الترانزيستورات في الانكماش. ولكن، ومع المواد المستخدمة حالياً، بلغت القدرة على تصغير حجم الترانزيستورات إلى أقصى حدودها بسبب المشاكل المتزايدة في مجال تسريب الطاقة والحرارة. ولهذا، من الضروري لاستمرارية قانون "مور" أن تعتمد صناعة الرقاقات مواد جديدة وهيكليات مبتكرة.
ويحتوي كل ترانزيستور على مادة عازلة تسمى gate-dielectric والتي تعتبر حيوية لتشغيله. وقد كانت مادة ثاني أكسيد السليكون طوال الثلاثين سنة الماضية المادة المفضلة لهذا العنصر المهم في صناعة الترانزيستور بفضل قابلية تصنيعها وقدرتها على توفير أداء ترانزيستور محسن مستمر وبأحجام أصغر.
وقد نجحت إنتل في تصغير gate-dielectric ثاني أكسيد السليكون إلى أحجام تصل سماكتها حتى 1,2 نانومتر (nm)، أي ما يوازي خمس طبقات ذرية فقط. وكلما رقت سماكة مادة ثاني أكسيد السليكون، يزيد معدل تسريب التيار الكهربائي من خلال gate-dielectric ويؤدي إلى هدر التيار والحرارة غير الضرورية. ولحل هذه المشكلة المهمة، تنوي إنتل استبدال المادة المستخدمة حالياً بمادة high-k أكثر سماكة في gate-dielectric مما يخفض بقدر كبير معدل تسريب التيار الكهربائي.
والجزء الثاني من الحل هو تطوير مادة بوابة معدنية لأن high-k gate dielectric ليست متوافقة مع بوابة الترانزيستور الحالية. وجمع high-k gate dielectric مع البوابة المعدنية يسمح بتقليص معدل تسريب التيار بنسبة كبيرة بينما يحافظ على أداء الترانزيستور العالي جداً ما يُمكن من دفع تطور قانون "مور" ودفع عجلة الابتكار التقني حتى العقد القادم. وتعتقد إنتل أن هذه الاكتشافات الجديدة يمكن دمجها في عملية تصنيع اقتصادية لتصنيع الرقاقات بأعداد كبيرة والشركة الآن بصدد الانتقال بهذه الأبحاث إلى مرحلة التطوير.
وتهدف إنتل إلى دمج الترانزيستورات المصنعة بواسطة هذه المواد الجديدة في معالجات إنتل المستقبلية بحلول عام 2007، وذلك لتشكل جزءا من عملية تصنيع 45 نانومتر التي تعتمدها الشركة.وستناقش إنتل تفاصيل تطوير مواد الترانزيستور الجديدة يوم 6 نوفمبر في ورشة العمل العالمية لعام 2003 حول عوازل البوابات التي ستقام في طوكيو.
وسيوجز بحث إنتل التحدي الصعب الذي تواجهه صناعة الرقائق لتطوير ودمج مواد جديدة في الوقت المناسب لحل مشكلة تسريب التيار الكهربائي واستهلاك الطاقة وتسريب الحرارة، وذلك بالتركيز على اختراقين مهمين: تحديد المادة المناسبة ل high-k gate dielectric التي ستحل محل ثاني أكسيد السليكون المستخدمة حالياً وتحديد مواد معدنية تحل محل مادة البوابة الحالية المتوافقة مع high-k gate dielectric.


انقر هنا لقراءة الخبر من مصدره.