استقبال زوّار المملكة بمعايدات العيد في مطارات الرياض وجدة والدمام        الهلال يطرح تذاكر "ديربي الرياض" أمام النصر    الشباب ينهي تحضيراته لمواجهة الاتحاد    القبض على (6) يمنيين لتهريبهم (83) كيلوجرامًا من نبات القات المخدر    أقصى الضغوط... ما قبل «التطبيع الشامل»    محامي مارين لوبان: سنستأنف حكم إدانتها بالاختلاس    انخفاض معدل التضخم في ألمانيا إلى 2.2% خلال الشهر الحالي    "البيئة" ترصد هطول أمطار في (8) مناطق بالمملكة    أكثر من 122 مليون قاصد للحرمين الشريفين في شهر رمضان    الحقيل: توجيهات ولي العهد في القطاع العقاري تعزز توازن السوق وتحفز الاقتصاد    نائب أمير منطقة مكة يستقبل الذين قدموا التهنئة بمناسبة عيد الفطر المبارك.    "أمانة الطائف" تنهي استعداداتها لعيد الفطر المبارك    جمعية مراكز الاحياء ممثلة في مركز حي قروى يقدم هدايا العيد    الأمير سعود بن نهار يستقبل المهنئين بعيد الفطر    جمع مهيب في صلاة عيد الفطر في مسجد قباء بالمدينة المنورة    إدارة المساجد والدعوة والإرشاد بمحافظة بيشة تُنهي استعداداتها .    مختص ل «الرياض»: 7% يعانون من اضطراب القلق الاجتماعي خلال الأعياد    أنشيلوتي: مبابي مثل رونالدو    أمطار رعدية مصحوبة بزخات من البرد على معظم مناطق المملكة    ما أصل "العيديّة"، وكيف تغيّر اسمها عبر العصور؟    وسائل إعلام: ترامب يعتزم زيارة السعودية في منتصف مايو    ترامب: لا أمزح بشأن سعيي لفترة رئاسية ثالثة    أمير منطقة تبوك يستقبل المهنئين بعيد الفطر المبارك    أسعار النفط تتراجع وتتجه نحو أول خسارة فصلية منذ فصلين    فعاليات عيد الطائف تجذب 200 ألف زائر    المعالم الأثرية بالأحساء تجذب الأهالي والمقيمين في عيد الفطر    بطابع الموروث والتقاليد.. أهالي حائل يحتفون بالعيد    فعالية تراثية في نجران احتفاء بعيد الفطر    إطلالة على اليوم العالمي للمسرح    قائد الجيش السوداني: لا سلام مع «الدعم السريع» إلا بإلقاء السلاح    فيصل بن مشعل يرعى حفل أهالي القصيم بعيد الفطر المبارك    خالد بن سلمان يستقبل قادة وزارة الدفاع وكبار مسؤوليها    المملكة ترحب بتشكيل الحكومة السورية    ولي العهد يؤدي صلاة العيد في المسجد الحرام.. ويبحث المستجدات مع سلام    خادم الحرمين: أدام الله على بلادنا أمنها واستقرارها وازدهارها    إنجاز إيماني فريد    رابطة الأندية المصرية تلغي عقوبة خصم 3 نقاط من الأهلي بعد انسحابه أمام الزمالك    الأمانة والدواء البديل.. رأي أم مخالفة؟!    جولة مسرحية لتعزيز الحراك الثقافي بالمملكة    «الإذاعة والتلفزيون» تميزت في محتوى رمضان    نتج عنه وفاتها.. الأمن العام يباشر حادثة اعتداء مقيم على زوجته في مكة    عيد الدرب.. مبادرات للفرح وورود وزيارات للمرضىع    بين الجبال الشامخة.. أبطال الحد الجنوبي يعايدون المملكة    ولي العهد ورئيس الوزراء اللبناني يبحثان العلاقات الثنائية    خادم الحرمين: أهنئكم بعيد الفطر بعد صيام شهر رمضان وقيامه    توقعات بهطول أمطار غزيرة على 7 مناطق    ارتفاع حصيلة قتلى زلزال ميانمار إلى أكثر من 1000    ثنائية مبابي تهدي ريال مدريد الفوز على ليجانيس    كاميرات المراقبة تفضح اعتداءات المستوطنين في الضفة الغربية    896.551 شحنة بريدية تم تسليمها يوميا برمضان    العيد انطلاقة لا ختام    1320 حالة ضبط بالمنافذ الجمركية    تجمع الرياض الصحي الأول يحقق أرقاماً قياسية في ختام حملة "صم بصحة"    أبشر بالفطور تختتم أعمالها بتغطية محافظات الشرقية و توزيع ٥٠ الف وجبة    تجمع الرياض الصحي الأول يُطلق حملة «عيدك يزهو بصحتك» بمناسبة عيد الفطر المبارك 1446ه    أكثر من 70 ألف مستفيد من برامج جمعية الدعوة بأجياد في رمضان    حليب الإبل إرث الأجداد وخيار الصائمين    







شكرا على الإبلاغ!
سيتم حجب هذه الصورة تلقائيا عندما يتم الإبلاغ عنها من طرف عدة أشخاص.



تقنيات ترانزيستور تحقق نقلة نوعية في معالجة مشاكل الطاقة والحرارة
نشر في اليوم يوم 09 - 11 - 2003

تمكن باحثو إنتل من اكتشاف مواد جديدة لتحل محل تلك المستخدمة لتصنيع الرقاقات منذ أكثر من 30 عاماً. ويعتبر هذا الابتكار الذي يشكل اختراقاً مهماً في عالم تصنيع الرقاقات، بمثابة إنجاز رائد مع سعي هذه الصناعة المستمر لتقليص معدل تسريب التيار الكهربائي في الترانزيستورات. وجدير بالذكر أن هذه المشكلة تزداد أهمية بالنسبة لمصنعي الرقاقات خاصة في ضوء الاتجاه المتزايد لتركيب أعداد أكبر من الترانزيستورات على قطع دقيقة من السليكون.
وقد طور باحثو إنتل ترانزيستورات ذات أداء عال قياسي مستخدمين في ذلك مادة جديدة تسمى (gate dielectric) شd high-k ومواد معدنية جديدة لبوابة الترانزيستور. والترانزيستورات هي المفاتيح الدّقيقة المبنية على السليكون والتي تعالج ارقام الواحد والصفر في العالم الرقمي. والبوابة تشغل الترانزيستور وتوقفه أما ال (gate dielectric).
فهو عازل رقيق يوضع تحت الترانزيستور. وسوياً، تساعد المواد الجديدة على تقليص تسريب التيار الكهربائي الذي يؤدي إلى انخفاض طاقة البطارية ويُولَد حرارة غير مرغوب فيها. وقد صرحت إنتل أن مادة high-k الجديدة تخفض معدل التسريب بأكثر من 100 مرة مقارنة بمادة ثاني أكسيد السليكون المستخدمة طوال العقود الثلاثة الماضية. وصناعة أشباه الموصلات تبحث منذ سنوات على مواد ترانزيستور جديدة للبوابة، لكن الصعوبات التكنولوجية حالت دون حصول تطبيقات عملية. وعلق سونلين تشو، كبير نواب الرئيس والمدير العام في مجموعة التكنولوجيا والتصنيع في إنتل قائلا: "ان هذا هو العرض المقنع الأوّل الذي يبرهن أن موادّ البوّابة الجديدة ستمكّن التّرانزيستورات من أن تعمل بشكل أفضل، وان تتغلب على الحدود الجوهرية لمادة السليكون ثاني الأكسيد التي تخدم الصناعة منذ أكثر من ثلاثة عقود.
سوف تستخدم إنتل هذا التّقدّم النوعي مع الابتكارات الأخرى، مثل السليكون المضغوط والترانزيستورات الثلاثية البوابات tri-gate، لتمديد تدريج الترانزيستور وقانون مور".
ووفقاً لقانون "مور"، يتضاعف عدد الترانزيستورات على الرقاقة بحوالي مرتين كل عامين ما ينتج عنه المزيد من المزايا وأداء أعلى وتكلفة أقل لكل وحدة ترانزيستور. وللمحافظة على وتيرة الابتكار هذه، يجب أن يستمر حجم الترانزيستورات في الانكماش. ولكن، ومع المواد المستخدمة حالياً، بلغت القدرة على تصغير حجم الترانزيستورات إلى أقصى حدودها بسبب المشاكل المتزايدة في مجال تسريب الطاقة والحرارة. ولهذا، من الضروري لاستمرارية قانون "مور" أن تعتمد صناعة الرقاقات مواد جديدة وهيكليات مبتكرة.
ويحتوي كل ترانزيستور على مادة عازلة تسمى gate-dielectric والتي تعتبر حيوية لتشغيله. وقد كانت مادة ثاني أكسيد السليكون طوال الثلاثين سنة الماضية المادة المفضلة لهذا العنصر المهم في صناعة الترانزيستور بفضل قابلية تصنيعها وقدرتها على توفير أداء ترانزيستور محسن مستمر وبأحجام أصغر.
وقد نجحت إنتل في تصغير gate-dielectric ثاني أكسيد السليكون إلى أحجام تصل سماكتها حتى 1,2 نانومتر (nm)، أي ما يوازي خمس طبقات ذرية فقط. وكلما رقت سماكة مادة ثاني أكسيد السليكون، يزيد معدل تسريب التيار الكهربائي من خلال gate-dielectric ويؤدي إلى هدر التيار والحرارة غير الضرورية. ولحل هذه المشكلة المهمة، تنوي إنتل استبدال المادة المستخدمة حالياً بمادة high-k أكثر سماكة في gate-dielectric مما يخفض بقدر كبير معدل تسريب التيار الكهربائي.
والجزء الثاني من الحل هو تطوير مادة بوابة معدنية لأن high-k gate dielectric ليست متوافقة مع بوابة الترانزيستور الحالية. وجمع high-k gate dielectric مع البوابة المعدنية يسمح بتقليص معدل تسريب التيار بنسبة كبيرة بينما يحافظ على أداء الترانزيستور العالي جداً ما يُمكن من دفع تطور قانون "مور" ودفع عجلة الابتكار التقني حتى العقد القادم. وتعتقد إنتل أن هذه الاكتشافات الجديدة يمكن دمجها في عملية تصنيع اقتصادية لتصنيع الرقاقات بأعداد كبيرة والشركة الآن بصدد الانتقال بهذه الأبحاث إلى مرحلة التطوير.
وتهدف إنتل إلى دمج الترانزيستورات المصنعة بواسطة هذه المواد الجديدة في معالجات إنتل المستقبلية بحلول عام 2007، وذلك لتشكل جزءا من عملية تصنيع 45 نانومتر التي تعتمدها الشركة.وستناقش إنتل تفاصيل تطوير مواد الترانزيستور الجديدة يوم 6 نوفمبر في ورشة العمل العالمية لعام 2003 حول عوازل البوابات التي ستقام في طوكيو.
وسيوجز بحث إنتل التحدي الصعب الذي تواجهه صناعة الرقائق لتطوير ودمج مواد جديدة في الوقت المناسب لحل مشكلة تسريب التيار الكهربائي واستهلاك الطاقة وتسريب الحرارة، وذلك بالتركيز على اختراقين مهمين: تحديد المادة المناسبة ل high-k gate dielectric التي ستحل محل ثاني أكسيد السليكون المستخدمة حالياً وتحديد مواد معدنية تحل محل مادة البوابة الحالية المتوافقة مع high-k gate dielectric.


انقر هنا لقراءة الخبر من مصدره.