طور علماء من آي بي إم تكنولوجيا جديدة في تصنيع الشرائح الإلكترونية يمكن من خلالها رفع سرعة الشرائح الالكترونية بنسبة تتراوح بين45 و60بالمائة. وقال الدكتور ميكي أويونج أحد العلماء المشرفين على تطوير هذه التكنولوجيا: انها ستكون متاحة للاستخدام على نطاق واسع في غضون ثلاث إلى خمس سنوات من الآن. وتتمثل التكنولوجيا الجديدة في دمج طريقتين حاليتين مستخدمتين في تصنيع الشرائح معا في وقت واحد أثناء تصنيع الشريحة الالكترونية بدلا من استخدام كل منهما بشكل مستقل ومنفرد كما هو حاصل حاليا ولمزيد من التوضيح قال الدكتور اويونج: إن الطريقتين اللتين تم دمجها معا هما الطريقة التي تتم فيها إضافة طبقة رقيقة من الأكسيد إلى قرص السيليكون من أجل عزل الدائرة ضد تسرب الطاقة والطريقة التي تتم فيها إضافة طبقة من مادة السيليكون جيرمينيوم أعلى قرص السيليكون وهي تخدش ذرات السليكون لتسمح للإلكترونات بالتدفق بشكل اسرع داخل الدائرة المكونة للشريحة والطريقة الأولى تستخدمها حاليا آي بي إم وشركة أية إم دي في تصنيع المعالجات الدقيقة بينما قررت انتل استخدام الطريقة الثانية في إعداد بعض معالجاتها. وبالطريقة الجديدة في التصنيع يمكن الحصول على سطح سيليكون يستطيع العمل مع الترانزيستورات السالبة والموجبة الشحنة معا وبمستوى الكفاءة الأمثل الأمر الذي يحسن أداء وسرعة الشريحة تتراوح بين40 و65بالمائة.
