كشفت شركة "إنتل" عن عدة اختراقات تقنية دمجتها الشركة في عملياتها الجديدة التي تعتمد تقنية 90 نانومتر (90-nanometer (nm))، وهي عملية تصنيع أشباه الموصلات الأكثر تطورا المطبقة في قطاع الرقائق حاليا. وقد استخدمت "إنتل" هذه العملية لتصنيع وحدات سيليكونية ورقائق ذاكرة قياسية لم يسبق لها مثيل. وستعمد "إنتل" إلى تطبيق هذه العملية على نطاق واسع خلال العام القادم لتصنيع أعداد كبيرة من هذه المنتجات باستخدام رقائق ذات 300مم. تجمع عملية ال 90 نانومتر (النانوميتر يساوي 1/مليار من المتر) الجديدة هذه ما بين الأداء الأعلى والترانزيستورات ذات الطاقة الأقل والسيليكون المشدود والموصلات النحاسية عالية السرعة ومادة جديدة عازلة للكهرباء ذات معدل k منخفض،و هي المرة الأولى التي تُدمج فيها كل هذه التقنيات في عملية تصنيع واحدة. قال د. سونلين شو، نائب الرئيس الأعلى ومدير عام مجموعة التقنية والتصنيع في "إنتل": "بينما تعكف بعض الشركات على التحول ببطء نحو عمليات الإنتاج ذات ال 130 نانوميتر (0.13 مايكرون) على رقائق ذات 200مم، ننفرد نحن بتطبيق تقنية التسعين نانوميتر الأكثر تطورا حصريا على رقائق ذات 300مم. وهذا سيسمح ل صإنتل' بتصنيع منتجات أفضل وبخفض تكاليف التصنيع." وتعمل الشركة على تطوير قطاع صناعة الرقائق بطرحها جيل جديد من عمليات التصنيع كل عامين، حسب توقعات "نظام مور" "Mooreشs Law" . وتعتبر عملية التسعين نانوميتر بمثابة الجيل التالي بعد عملية 0.13 مايكرون التي تستخدمها "إنتل" حاليا لتصنيع الجزء الأكبر من أشباه الموصلات.