توّجت الدكتورة مها بنت محمد عمر خياط جهودها في تسجيل 4 براءات اختراع في تقنية النانو بالحصول على الميدالية الذهبية في معرض جنيف الدولي الأربعين العالمي للمخترعين مؤخرًا. جاء ذلك عن اختراعها حول التحكم المكاني في نمو أسلاك السيلكون النانوية باستخدام تفاعل كيميائي في مدى النانومتر للعناصر النشطة كيميائيًا، وذلك بإيجاد طريقة جديدة للتحكم المكاني في نمو أسلاك أشباه الموصلات النانوية على سطح أشباه المواد الشبه موصلة، باستخدام مواد قابلة للتأكسد مثل الألمنيوم لتحفيز نمو الأسلاك النانوية فوق طبقة من ثاني أكسيد السيلكون سبق تكوينها على سطح شبه الموصل عبر عدد أقل من الخطوات التقنية. ويتميز اختراع خياط -وهي وكيلة معهد البحوث العلمية وإحياء التراث الإسلامي، عضو هيئة التدريس بقسم الفيزياء بكلية العلوم التطبيقية بجامعة أم القرى- بأنه لا يتطلب إزالة الألمنيوم (العنصر المحفز لنمو أسلاك السيلكون النانوية) وذلك للنمو الاختياري، كما لايتطلب ذلك عمل رسم هندسي ضوئي في بعض تطبيقات التقنية الحالية مع إمكانية تطبيق الفكرة في مجالات متعددة مثل إضافة الألمنيوم اختياريًا لأجزاء من شريحة الجاليوم أرسنايد. وتكمن أهمية الاختراع في أن الرسم الهندسي في مدى النانو على سطح أشباه الموصلات أو أي مادة أخرى بطريقة متحكم فيها ذات أهمية كبيرة في التطبيقات الصناعية مثل الخلايا الشمسية والأجهزة الإلكترونية، وتم تطبيق هذا الاختراع لتطوير ميكروسكوب القوة الذري وذلك لدراسة الخلايا الحية.