حققت وكيلة معهد البحوث العلمية وإحياء التراث الإسلامي عضو هيئة التدريس بقسم الفيزياء بكلية العلوم التطبيقية بجامعة أم القرى الدكتورة مها بنت محمد عمر خياط الميدالية الذهبية في معرض جنيف الدولي الأربعين العالمي للمخترعين . وجاء ذلك ضمن مشاركتها مع وفد مؤسسة الملك عبدالعزيز ورجاله للموهبة والإبداع في المعرض الذي عقد مؤخراً بجنيف عن اختراعها المقدم حول التحكم المكاني في نمو أسلاك السيلكون النانوية باستخدام تفاعل كيميائي في مدى النانومتر للعناصر النشطة كيميائياً، بإيجاد طريقة جديدة للتحكم المكاني في نمو أسلاك أشباه الموصلات النانوية على سطح أشباه المواد الشبه موصلة، باستخدام مواد قابلة للتأكسد مثل الألمنيوم لتحفيز نمو الأسلاك النانوية فوق طبقة من ثاني أكسيد السيلكون سبق تكوينها على سطح شبه الموصل عبر عدد أقل من الخطوات التقنية. ويتميز الاختراع بأنه لا تتطلب ازالة الالمنيوم (العنصر المحفز لنمو أسلاك السيلكون النانوية) وذلك للنمو الاختياري ولا تتطلب عمل رسم هندسي ضوئي في بعض تطبيقات التقنية الحالية مع إمكانية تطبيق الفكرة في مجالات متعددة مثل إضافة الألمنيوم اختيارياً لأجزاء من شريحة الجاليوم ارسنايد. وتكمن أهمية الاختراع في أن الرسم الهندسي في مدى النانو على سطح أشباه الموصلات أو أي مادة أخرى بطريقة متحكم فيها هي ذات أهمية كبيرة في التطبيقات الصناعية مثل الخلايا الشمسية والأجهزة الالكترونية وقد تم تطبيق هذا الاختراع لتطوير ميكروسكوب القوة الذري وذلك لدراسة الخلايا الحية . وعبرت الدكتورة مها خياط عن اعتزازها بهذا الإنجاز الذي يبرهن للعالم مدى ما وصلت إليه المرأة السعودية من تقدم ورقي وما تمتلكه من قدرات علمية وعملية في جميع مجالات الحياة .