إنتل تطور جيلا من تكنولوجيا صناعة الشرائح

تمكنت (إنتل) من تحقيق خطوة أساسية مهمة في تطوير الجيل الثاني من تكنولوجيا صناعة الشرائح، وذلك بعد أن تمكنت هذه الشركة من بناء شرائح الذاكرة الساكنة SRAM للوصول العشوائي، بسعة قدرها 70 ميغا بت، قادرة على أداء وظائفها بالكامل، كما أنها تحتوي على ما يزيد على نصف مليار ترانزيستور باستخدام عملية 65 نانومترا، والتي تعدّ أحدث التقنيات، وأكثرها تقدماً في صناعة المعالجات على مستوى العالم.
ومن شأن هذا الإنجاز، أن يعزز الجهود المبذولة من قبل شركة (إنتل) ؛ بهدف دفع تطور تكنولوجيا العمليات التصنيعية الجيدة كل عامين، مما يضمن التناسق التام مع قانون مور، وتشتمل الترانزيستورات الجديدة التي يتم تصنيعها وفق تكنولوجيا 65 نانومتر (النانومتر الواحد يعادل جزءا واحدا من مليار جزء من المتر) على بوابات (أي المفتاح الذي تكون مهمته فتح وإغلاق الترانزيستور)، حيث يبلغ طول البوابة الواحدة منها 35 نانومترا، أي أنها أصغر بنسبة 30 بالمائة مع طول البوابة التي كان يتم تصنيعها سابقاً، بالاعتماد على تقنية 90 نانومترا.