"سان ديسك" تعلن عن تقنية جديدة لتصنيع ذاكرات الفلاش

كشفت شركة "سان ديسك" SanDisk عن بدء استخدامها لتقنية "ون زي-نانومتر" 1Z-nanometer التي وصفتها بأنها الأكثر تطورًا في العالم من فئة ذاكرة الفلاش.
وقالت الشركة المتخصصة في إنتاج حلول التخزين إن هذه التقنية سترفع من تصميم ذاكرة الفلاش "ناند"NAND من نوع 2 بت لكل خلية "إكس 2′′ X2 و 3 بت لكل خلية "إكس 3′′ X3 والتي سيبدأ إنتاجها التجاري في النصف الثاني من عام 2014.
وأوضح "سيفا سيفارام" نائب المدير الأول لتقنيات الذاكرة لدى "سانديسك" أنهم تمكنوا من تقديم أصغر رقائق بسعة تخزينية قدرها 128 جيجابايت والأجدى من ناحية السعر، حسب تعبيره.
وتقول "سانديسك" إن تقنية ال 1Z نانومتر تستخدم العديد من مبتكرات العمليات المتطورة وحلول تصميم الخلايا من أجل أن تتواكب هذه الرقاقات مع كلا هذين المحورين.
وتعتزم الشركة طرح تقنية "ون زي" للاستخدام في كافة حلولها التخزينية بدءًا بالبطاقات النقالة إلى محركات الحالة الساكنة "إس إس دي" SDD المستخدمة في الشركات.